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文献
J-GLOBAL ID：201202252547048772
整理番号：12A1763672
Siドープ(Al)GaNエピタキシャル層中の歪と欠陥
Strain and defects in Si-doped (Al)GaN epitaxial layers
FORGHANI Kamran
(Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
,
SCHADE Lukas
(Fraunhofer Inst. for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
SCHWARZ Ulrich T.
(Fraunhofer Inst. for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU)
,
LIPSKI Frank
(Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
,
KLEIN Oliver
(Central Facility of Electron Microscopy, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
,
KAISER Ute
(Central Facility of Electron Microscopy, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
,
SCHOLZ Ferdinand
(Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 9 ページ： 093102-093102-9 発行年： 2012年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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