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文献
J-GLOBAL ID：201202252602076349
整理番号：12A1466445
高k p-MOSFETsの負バイアス温度ストレス下でのスイッチング正孔トラップの永久バルクトラップへの変換の証拠
Evidence for the Transformation of Switching Hole Traps into Permanent Bulk Traps under Negative-Bias Temperature Stressing of High-κ P-MOSFETs
GAO Y.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ANG D.S.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
YOUNG C.D.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
BERSUKER G.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名：
Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium
(Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1 ページ： 437-441 発行年： 2012年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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