文献
J-GLOBAL ID:201202252726314493
整理番号:12A1007817
非常に薄いN極性を持つGaN量子井戸チャネルにおける界面の粗さによる散乱
Interface roughness scattering in ultra-thin N-polar GaN quantum well channels
著者 (3件):
SINGISETTI Uttam
(Electrical Engineering Dep., Univ. at Buffalo, Buffalo, New York 14260, USA)
,
HOI WONG Man
(SEMATECH Inc., Austin, Texas 78741, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(ECE Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
1
ページ:
012101-012101-4
発行年:
2012年07月02日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)