文献
J-GLOBAL ID:201202252808759361
整理番号:12A1333062
MRAMベース不揮発性ラッチ回路と論理回路に対する耐放射線技術
Hardening Techniques for MRAM-Based Nonvolatile Latches and Logic
著者 (8件):
LAKYS Yahya
(Univ. Paris-Sud, Orsay)
,
LAKYS Yahya
(UMR 8622, Centre National de la Rech. Scientifique, Orsay)
,
ZHAO Weisheng S.
(Univ. Paris-Sud, Orsay)
,
ZHAO Weisheng S.
(UMR 8622, Centre National de la Rech. Scientifique, Orsay)
,
KLEIN Jacques-Olivier
(Univ. Paris-Sud, Orsay)
,
KLEIN Jacques-Olivier
(UMR 8622, Centre National de la Rech. Scientifique, Orsay)
,
CHAPPERT Claude
(Univ. Paris-Sud, Orsay)
,
CHAPPERT Claude
(UMR 8622, Centre National de la Rech. Scientifique, Orsay)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
59
号:
4,Pt.1
ページ:
1136-1141
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)