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文献
J-GLOBAL ID：201202252849664219
整理番号：12A1451765
高度YbドープPbSe0.2Te0.8薄膜の異方性ナノ構造性能による電気輸送の増強
Enhancement of electrical transport through the anisotropic nanostructure performance of heavily Yb-doped PbSe0.2Te0.8 thin films
HMOOD A.
(School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia)
,
KADHIM A.
(School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia)
,
ABU HASSAN H.
(School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia)
資料名：
Materials Chemistry and Physics
(Materials Chemistry and Physics)
巻： 136 号： 2-3 ページ： 1148-1155 発行年： 2012年10月15日
JST資料番号： E0934A ISSN： 0254-0584 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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