文献
J-GLOBAL ID:201202252929964388
整理番号:12A1327960
欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度
Thermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron-hole pairs in a-Si:H
著者 (4件):
OGIHARA C.
(Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN)
,
INAGAKI Y.
(Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN)
,
TAKETA A.
(Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN)
,
MORIGAKI K.
(Dep. of Electrical and Digital-System Engineering, Hiroshima Inst. of Technol., Miyake, Saeki-ku, Hiroshima 731-5193 ...)
資料名:
Journal of Non-Crystalline Solids
(Journal of Non-Crystalline Solids)
巻:
358
号:
17
ページ:
2004-2006
発行年:
2012年09月01日
JST資料番号:
D0642A
ISSN:
0022-3093
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)