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文献
J-GLOBAL ID：201202253374140615
整理番号：12A0706151
Sbドープn+-BaSi2/p+-Siトンネル接合からアンドープBaSi2被覆層へのSb拡散抑制についての固相エピタキシーSi層の効果
Effect of Solid-Phase-Epitaxy Si Layers on Suppression of Sb Diffusion from Sb-Doped n+-BaSi2/p+-Si Tunnel Junction to Undoped BaSi2 Overlayers
DU Weijie
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SAITO Takanobu
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
KHAN Muhammad Ajmal
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
USAMI Noritaka
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 4,Issue 2 ページ： 04DP01.1-04DP01.4 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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