文献
J-GLOBAL ID:201202253706914008
整理番号:12A1467061
Ar注入AlN/サファイア基板上に成長させた埋込空気ボイドを持つ窒化ガリウム系発光ダイオード
Gallium nitride-based light-emitting diodes with embedded air voids grown on Ar-implanted AlN/sapphire substrate
著者 (5件):
SHEU Jinn-kong
(Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan)
,
TU Shang-ju
(Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan)
,
YEH Yu-hsiang
(Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan)
,
LEE Ming-lun
(Dep. of Electro-Optical Engineering, Southern Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Tainan County 71001, Taiwan)
,
LAI Wei-chih
(Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
15
ページ:
151103-151103-4
発行年:
2012年10月08日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)