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文献
J-GLOBAL ID：201202253918407718
整理番号：12A1081022
最適化されたSiGe/Si/SiGe構造による歪みSiの移動度の増大
Mobility enhancement of strained Si by optimized SiGe/Si/SiGe structures
HUANG S.-h.
(Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
,
LU T.-m.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA)
,
LU S.-c.
(Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617 ...)
,
LEE C.-h.
(Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
,
LIU C. W.
(Graduate Inst. of Electronics Engineering, Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical ...)
,
TSUI D. C.
(Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 101 号： 4 ページ： 042111-042111-3 発行年： 2012年07月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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