文献
J-GLOBAL ID:201202254132205620
整理番号:12A0870950
低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのダイナミックドレインストレスによる劣化メカニズムの解析
Analysis of Degradation Mechanisms in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under Dynamic Drain Stress
著者 (6件):
ZHANG Meng
(Soochow Univ., Suzhou, CHN)
,
ZHANG Meng
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
WANG Mingxiang
(Soochow Univ., Suzhou, CHN)
,
LU Xiaowei
(Soochow Univ., Suzhou, CHN)
,
WONG Man
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
KWOK Hoi-Sing
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
6
ページ:
1730-1737
発行年:
2012年06月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)