文献
J-GLOBAL ID:201202255190397616
整理番号:12A1028293
抵抗スイッチングメモリに関する電気的に改変可能なシナプスアレイ
An electrically modifiable synapse array of resistive switching memory
著者 (10件):
CHOI Hyejung
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
JUNG Heesoo
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
LEE Joonmyoung
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
YOON Jaesik
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
PARK Jubong
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
SEONG Dong-jun
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
LEE Wootae
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
HASAN Musarrat
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
JUNG Gun-Young
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
,
HWANG Hyunsang
(Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
資料名:
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻:
20
号:
34
ページ:
345201 (5 PP.)
発行年:
2009年
JST資料番号:
W0108A
ISSN:
0957-4484
CODEN:
NNOTER
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)