文献
J-GLOBAL ID:201202255987126510
整理番号:12A0955573
MgドープしたGa0.6Fe1.4O3薄膜の減少する漏れ電流と可能な電荷キャリア同調
Reduced leakage currents and possible charge carriers tuning in Mg-doped Ga0.6Fe1.4O3 thin films
著者 (10件):
LEFEVRE C.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
,
SHIN R. H.
(Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR)
,
LEE J. H.
(Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR)
,
OH S. H.
(Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR)
,
ROULLAND F.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
,
THOMASSON A.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
,
AUTISSIER E.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
,
MENY C.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
,
JO W.
(Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR)
,
VIART N.
(Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
26
ページ:
262904-262904-4
発行年:
2012年06月25日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)