文献
J-GLOBAL ID:201202256228872298
整理番号:12A0264310
GaAs基板上のGa1-xInxAs1-yNy4元系半導性合金の構造と電子物性
Structural and electronic properties of Ga1-x In x As1-y N y quaternary semiconductor alloy on GaAs substrate
著者 (3件):
ASLAN Metin
(Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR)
,
YALCIN Battal G.
(Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR)
,
UESTUENDAG Mehmet
(Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
519
ページ:
55-59
発行年:
2012年04月05日
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)