文献
J-GLOBAL ID:201202256232677726
整理番号:12A0777738
絶縁体上の高フルエンスC注入ナノメータSiのRaman及びTEM評価
Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator
著者 (5件):
DOS REIS R.m.s.
(Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA)
,
MALTEZ R.l.
(Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA)
,
MOREIRA E.c.
(Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, BRA)
,
DIAS Y.p.
(Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, BRA)
,
BOUDINOV H.
(Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
258
号:
19
ページ:
7395-7400
発行年:
2012年07月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)