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文献
J-GLOBAL ID：201202256321197983
整理番号：12A0341022
相変化マスク層を用いた半導体量子ドットの近赤外ナノ分光法
Near-infrared nano-spectroscopy of semiconductor quantum dots using a phase-change mask layer
TSUMORI N.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
TAKAHASHI M.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
KUBOTA R.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
REGRENY P.
(Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA)
,
GENDRY M.
(Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA)
,
SAIKI T.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 6 ページ： 063111 発行年： 2012年02月06日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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