文献
J-GLOBAL ID:201202256321197983
整理番号:12A0341022
相変化マスク層を用いた半導体量子ドットの近赤外ナノ分光法
Near-infrared nano-spectroscopy of semiconductor quantum dots using a phase-change mask layer
著者 (6件):
TSUMORI N.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
TAKAHASHI M.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
KUBOTA R.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
,
REGRENY P.
(Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA)
,
GENDRY M.
(Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA)
,
SAIKI T.
(Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
6
ページ:
063111
発行年:
2012年02月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)