文献
J-GLOBAL ID:201202256403108733
整理番号:12A1095279
補償p型,n型単結晶シリコン太陽電池の完全絶縁破壊機構
Hard breakdown mechanisms of compensated p-type and n-type single-crystalline silicon solar cells
著者 (4件):
DUBOIS S.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
VEIRMAN J.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
ENJALBERT N.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
SCHEIBLIN P.
(CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, FRA)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
76
ページ:
36-39
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)