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文献
J-GLOBAL ID：201202256403108733
整理番号：12A1095279
補償p型,n型単結晶シリコン太陽電池の完全絶縁破壊機構
Hard breakdown mechanisms of compensated p-type and n-type single-crystalline silicon solar cells
DUBOIS S.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
VEIRMAN J.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
ENJALBERT N.
(CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA)
,
SCHEIBLIN P.
(CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, FRA)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 76 ページ： 36-39 発行年： 2012年10月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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