文献
J-GLOBAL ID:201202256928981233
整理番号:12A0460391
迅速熱サイクル焼なましをした場合,しない場合の,原子層析出法で作製した酸化アルミニウムのp-Si上基板との界面近くのエネルギー帯図の容量-電圧測定による作成
Energy Band Diagram near the Interface of Aluminum Oxide on p-Si Fabricated by Atomic Layer Deposition without/with Rapid Thermal Cycle Annealing Determined by Capacitance-Voltage Measurements
著者 (12件):
SATOH Nobuo
(Dep. of Electrical Engineering, Kyoto Univ., JPN)
,
SATOH Nobuo
(ECN Solar Energy, NLD)
,
CESAR Ilkay
(ECN Solar Energy, NLD)
,
LAMERS Machteld
(ECN Solar Energy, NLD)
,
ROMIJN Ingrid
(ECN Solar Energy, NLD)
,
BAKKER Klaas
(ECN Solar Energy, NLD)
,
OLSON Carol
(ECN Solar Energy, NLD)
,
SAYNOVA Desislava Oosterling
(ECN Solar Energy, NLD)
,
KOMATSU Yuji
(ECN Solar Energy, NLD)
,
WEEBER Arthur
(ECN Solar Energy, NLD)
,
VERBAKEL Frank
(Philips Res., NLD)
,
WIGGERS Michiel
(Philips Res., NLD)
資料名:
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)
(e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻:
10
ページ:
22-28 (J-STAGE)
発行年:
2012年
JST資料番号:
U0016A
ISSN:
1348-0391
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)