文献
J-GLOBAL ID:201202256978576810
整理番号:12A0531465
ジャンクションレスダブルゲートMOSFETにおけるオン-オフ電荷-電圧特性とドーパント数揺らぎの効果
On-Off Charge-Voltage Characteristics and Dopant Number Fluctuation Effects in Junctionless Double-Gate MOSFETs
著者 (5件):
TAUR Yuan
(Univ. California, CA, USA)
,
CHEN Han-Ping
(Univ. California, CA, USA)
,
WANG Wei
(Texas Instruments, TX, USA)
,
LO Shih-Hsien
(IBM T.J. Res. Center, NY, USA)
,
WANN Clement
(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
3
ページ:
863-866
発行年:
2012年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)