文献
J-GLOBAL ID:201202256999268473
整理番号:12A0430569
GaおよびN極性材料に対するGaNヘテロ接合におけるSiN/AlGaN界面での界面準位
Interface states at the SiN/AlGaN interface on GaN heterojunctions for Ga and N-polar material
著者 (3件):
YELURI Ramya
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SWENSON Brian L.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
4
ページ:
043718
発行年:
2012年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)