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文献
J-GLOBAL ID：201202257173876414
整理番号：12A0705977
微細チャネルミストCVDによる伝導性高結晶度のSnドープα-Ga2O3の好結果成長
Successful Growth of Conductive Highly Crystalline Sn-Doped α-Ga2O3 Thin Films by Fine-Channel Mist Chemical Vapor Deposition
KAWAHARAMURA Toshiyuki
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
DANG Giang T.
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
,
FURUTA Mamoru
(Kochi Univ. Technol., Kochi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 4,Issue 1 ページ： 040207.1-040207.3 発行年： 2012年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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