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文献
J-GLOBAL ID：201202257437790653
整理番号：12A0652629
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってZnO(0001)基板のO面上に成長させたInN薄膜の構造特性
Structural properties of InN films grown on O-face ZnO(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
CHO Yongjin
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
BRANDT Oliver
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
KORYTOV Maxim
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU)
,
ALBRECHT Martin
(Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU)
,
KAGANER Vladimir M.
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
RAMSTEINER Manfred
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
,
RIECHERT Henning
(Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 15 ページ： 152105-152105-4 発行年： 2012年04月09日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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