文献
J-GLOBAL ID:201202257729569826
整理番号:12A1101683
スプレー支援 霧CVD法でサファイヤ上に成長させた すずドーピング電気伝導性コランダム-構造 α-Ga2O3薄膜
Electrical Conductive Corundum-Structured α-Ga2O3 Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition
著者 (2件):
AKAIWA Kazuaki
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA Shizuo
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
7,Issue 1
ページ:
070203.1-070203.3
発行年:
2012年07月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)