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文献
J-GLOBAL ID：201202257958977393
整理番号：12A0651737
InGaN/GaNナノロッドの発光ダイオードの内部量子効率におよぼす歪と欠陥の影響
Effects of Strains and Defects on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Nanorod Light Emitting Diodes
CHANG Chun-Hsiang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN Liang-Yi
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG Li-Chuan
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
WANG Yu-Ting
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LU Tzu-Chun
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG Jian Jang
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名：
IEEE Journal of Quantum Electronics
(IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48 号： 3-4 ページ： 551-556 発行年： 2012年03月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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