文献
J-GLOBAL ID:201202258012997269
整理番号:12A0495346
La2O3キャップ層の厚さが,High-k/メタルゲートスタックを有するn-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタのホットキャリア劣化に及ぼす効果
Effect of La2O3 Capping Layer Thickness on Hot-Carrier Degradation of n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with High-k/Metal Gate Stacks
著者 (5件):
KIM Dongwoo
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR)
,
LEE Seonhaeng
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR)
,
KIM Cheolgyu
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR)
,
OH Taekyung
(Hynix Semiconductor Inc., Gyeonggi, KOR)
,
KANG Bongkoo
(Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
2,Issue 2
ページ:
02BC010.1-02BC010.3
発行年:
2012年02月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)