文献
J-GLOBAL ID:201202258087343620
整理番号:12A1099985
垂直整列InAs/GaAsSbドット構造を用いた中間バンド太陽電池素子の特性の改善
Improving the characteristics of intermediate-band solar cell devices using a vertically aligned InAs/GaAsSb quantum dot structure
著者 (5件):
LIU Wei-sheng
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
WU Hong-ming
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
TSAO Fu-hsiang
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
HSU Tsan-lin
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
CHYI Jen-inn
(Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Chung-Li, Taiwan)
資料名:
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻:
105
ページ:
237-241
発行年:
2012年10月
JST資料番号:
D0513C
ISSN:
0927-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)