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文献
J-GLOBAL ID：201202258087343620
整理番号：12A1099985
垂直整列InAs/GaAsSbドット構造を用いた中間バンド太陽電池素子の特性の改善
Improving the characteristics of intermediate-band solar cell devices using a vertically aligned InAs/GaAsSb quantum dot structure
LIU Wei-sheng
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
WU Hong-ming
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
TSAO Fu-hsiang
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
HSU Tsan-lin
(Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan)
,
CHYI Jen-inn
(Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Chung-Li, Taiwan)
資料名：
Solar Energy Materials and Solar Cells
(Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 105 ページ： 237-241 発行年： 2012年10月
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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