文献
J-GLOBAL ID:201202258125422750
整理番号:12A1440899
Si(001)基板上において優先的な面内結晶方位を持つ斜方晶系BaSi2膜のエピタキシャル成長:微斜面とアニーリング温度の効果
Epitaxy of Orthorhombic BaSi2 with Preferential In-Plane Crystal Orientation on Si(001): Effects of Vicinal Substrate and Annealing Temperature
著者 (9件):
TOH Katsuaki
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
HARA Kosuke O.
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
USAMI Noritaka
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
USAMI Noritaka
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
SAITO Noriyuki
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
YOSHIZAWA Noriko
(AIST, Ibaraki, JPN)
,
TOKO Kaoru
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
51
号:
9,Issue 1
ページ:
095501.1-095501.6
発行年:
2012年09月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)