文献
J-GLOBAL ID:201202258298892159
整理番号:12A0214803
引張Si/圧縮Si0.5Ge0.5/引張歪Siヘテロ構造へのp型イオン注入
p-Type Ion Implantation in Tensile Si/Compressive Si0.5Ge0.5/Tensile Strained Si Heterostructures
著者 (6件):
MINAMISAWA R. A.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
BUCA D.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
HOLLAENDER B.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
,
HARTMANN J. M.
(LETI, CEA, Grenoble, FRA)
,
BOURDELLE K. K.
(SOITEC, Bernin, FRA)
,
MANTL S.
(Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
159
号:
1
ページ:
H44-H51
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)