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文献
J-GLOBAL ID:201202258331515366   整理番号:12A1504441

van der Waalsエピタクシによる組成調節可能な垂直配向CdSxSe1-xナノワイヤアレイ 光学特性および光触媒挙動の検討

Composition-Tunable Vertically Aligned CdSxSe1-x Nanowire Arrays via van der Waals Epitaxy: Investigation of Optical Properties and Photocatalytic Behavior
著者 (9件):
PAN Jun
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
UTAMA Muhammad Iqbal Bakti
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
ZHANG Qing
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
LIU Xinfeng
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
PENG Bo
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
WONG Lai Mun
(Inst. Materials Res. and Engineering, Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
SUM Tze Chien
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
WANG Shijie
(Inst. Materials Res. and Engineering, Agency for Sci. Technol. and Res., Singapore)
XIONG Qihua
(Nanyang Technological Univ., Singapore)

資料名:
Advanced Materials  (Advanced Materials)

巻: 24  号: 30  ページ: 4151-4156  発行年: 2012年08月08日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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