文献
J-GLOBAL ID:201202258545422977
整理番号:12A0238079
金属-絶縁物-半導体バイポーラトランジスタにより調べたHfO2抵抗スイッチング
Resistive Switching in HfO2 Probed by a Metal-Insulator-Semiconductor Bipolar Transistor
著者 (7件):
YALON E.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
GAVRILOV A.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
COHEN S.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
MISTELE D.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
MEYLER B.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
SALZMAN J.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
,
RITTER D.
(Technion-Israel Inst. Technol., Haifa, ISR)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
33
号:
1
ページ:
11-13
発行年:
2012年01月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)