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文献
J-GLOBAL ID：201202258752349201
整理番号：12A0960706
CMOS互換金フリープロセスを用いた800Vの破壊電圧と3mΩ・cm2のオン状態抵抗を持つAlCaN/GaNオンシリコン金属酸化物半導体高電子移動度トランジスタ
AlCaN/GaN-on-Silicon Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistor with Breakdown Voltage of 800V and On-State Resistance of 3mΩ.cm2 Using a Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Gold-Free Process
LIU Xinke
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
ZHAN Chunlei
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHAN Kwok Wai
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
LIU Wei
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
TAN Leng Seow
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHEN Kevin Jing
(Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
,
YEO Yee-Chia
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 5 号： 6 ページ： 066501.1-066501.3 発行年： 2012年06月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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