文献
J-GLOBAL ID:201202258829156916
整理番号:12A0776430
電気化学ゲート金属点接触におけるメモリ効果
Memory effects in electrochemically gated metallic point contacts
著者 (6件):
MAUL R.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
,
XIE F.-q.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
,
OBERMAIR Ch.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
,
SCHOEN G.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
,
SCHIMMEL Th.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
,
WENZEL W.
(DFG-Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruhe Inst. of Technol., 76131 Karlsruhe, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
20
ページ:
203511-203511-5
発行年:
2012年05月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)