文献
J-GLOBAL ID:201202258900189359
整理番号:12A1006168
金属埋め込みナノ粒子を含む4H-SiCのNi接触部に関する金属の仕事関数,及びドーピング濃度依存バリア高さ
Metal Work-function and Doping-Concentration Dependent Barrier Height of Ni-Contacts to 4H-SiC with Metal-Embedded Nano-Particles
著者 (7件):
KANG M.-S.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
LEE J.-H.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
HALLEN A.
(Royal Inst. of Technol., Kista, SWE)
,
ZETTERLING C.-M.
(Royal Inst. of Technol., Kista, SWE)
,
BAHNG W.
(Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR)
,
KIM N.-K.
(Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR)
,
KOO S.-M.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.2
ページ:
857-860
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)