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文献
J-GLOBAL ID：201202258900189359
整理番号：12A1006168
金属埋め込みナノ粒子を含む4H-SiCのNi接触部に関する金属の仕事関数,及びドーピング濃度依存バリア高さ
Metal Work-function and Doping-Concentration Dependent Barrier Height of Ni-Contacts to 4H-SiC with Metal-Embedded Nano-Particles
KANG M.-S.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
LEE J.-H.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
,
HALLEN A.
(Royal Inst. of Technol., Kista, SWE)
,
ZETTERLING C.-M.
(Royal Inst. of Technol., Kista, SWE)
,
BAHNG W.
(Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR)
,
KIM N.-K.
(Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR)
,
KOO S.-M.
(Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 717/720 号： Pt.2 ページ： 857-860 発行年： 2012年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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