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文献
J-GLOBAL ID：201202259288668125
整理番号：12A0929970
自立したGaN基板上に分子ビームエピタクシーによって成長させたAl0.18Ga0.82N/GaNから成る共鳴トンネルダイオードにおける再現性の良い低温での負の微分抵抗
Repeatable low-temperature negative-differential resistance from Al0.18Ga0.82N/GaN resonant tunneling diodes grown by molecular-beam epitaxy on free-standing GaN substrates
LI D.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
TANG L.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
EDMUNDS C.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
SHAO J.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
GARDNER G.
(Birck Nanotechnology Center, West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
MANFRA M. J.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
,
MALIS O.
(Dep. of Physics, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 100 号： 25 ページ： 252105-252105-4 発行年： 2012年06月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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