文献
J-GLOBAL ID:201202259410036127
整理番号:12A0873953
SiO2マトリックス中に埋込んだリンドープシリコンナノ結晶のドーピング効率
Doping efficiency of phosphorus doped silicon nanocrystals embedded in a SiO2 matrix
著者 (6件):
GUTSCH S.
(IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU)
,
HARTEL A. M.
(IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU)
,
HILLER D.
(IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU)
,
ZAKHAROV N.
(Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle)
,
WERNER P.
(Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle)
,
ZACHARIAS M.
(IMTEK, Fac. of Engineering, Albert-Ludwigs-University Freiburg, Georges-Koehler-Allee 103, 79110 Freiburg, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
23
ページ:
233115-233115-4
発行年:
2012年06月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)