文献
J-GLOBAL ID:201202259524162114
整理番号:12A0582066
CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合部のMgO障壁における電子構造へのアニールの間の拡散Bの効果
Effect of Diffused B During Annealing on the Electronic Structure of the MgO Barrier in CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions
著者 (5件):
HAN Yoonsung
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
HAN Jinhee
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
CHOI Hyoung Joon
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
,
SHIN Hyun-Joon
(Pohang Accelerator Lab., Gyeongbuk, KOR)
,
HONG Jongill
(Yonsei Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
5
号:
3
ページ:
033001.1-033001.3
発行年:
2012年03月25日
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)