文献
J-GLOBAL ID:201202259893688839
整理番号:12A1218922
InGaAsP障壁層中のインジウムとリン組成を増すことによるInP(001)基板上のInAs柱状量子ドットの光ルミネセンス強度の増加
Increase in Photoluminescence Intensity of InAs Columnar Quantum Dots on InP(001) Substrate by Increasing Indium and Phosphorous Composition in InGaAsP Barrier Layers
著者 (8件):
OKUMURA Shigekazu
(Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo)
,
OKUMURA Shigekazu
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
YASUOKA Nami
(Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo)
,
YASUOKA Nami
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
KAWAGUCHI Kenichi
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
TANAKA Yu
(Photonics Electronics Technol. Res. Assoc. (PETRA), Tokyo)
,
TANAKA Yu
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
EKAWA Mitsuru
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8271
ページ:
82710R.1-82710R.8
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)