文献
J-GLOBAL ID:201202260198100004
整理番号:12A1053120
プラズマ電界効果トランジスタのテラヘルツ応答性の温度増強
Temperature enhancement of terahertz responsivity of plasma field effect transistors
著者 (12件):
KLIMENKO Oleg A.
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
KNAP Wojciech
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
INIGUEZ Benjamin
(Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP)
,
COQUILLAT Dominique
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
MITYAGIN Yury A.
(P. N. Lebedev Physical Inst. of RAS, Moscow 119991, RUS)
,
TEPPE Frederic
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
DYAKONOVA Nina
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
VIDELIER Hadley
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
BUT Dmitry
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
LIME Francois
(Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP)
,
MARCZEWSKI Jacek
(Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL)
,
KUCHARSKI Krzysztof
(Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
112
号:
1
ページ:
014506-014506-5
発行年:
2012年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)