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文献
J-GLOBAL ID：201202260198100004
整理番号：12A1053120
プラズマ電界効果トランジスタのテラヘルツ応答性の温度増強
Temperature enhancement of terahertz responsivity of plasma field effect transistors
KLIMENKO Oleg A.
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
KNAP Wojciech
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
INIGUEZ Benjamin
(Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP)
,
COQUILLAT Dominique
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
MITYAGIN Yury A.
(P. N. Lebedev Physical Inst. of RAS, Moscow 119991, RUS)
,
TEPPE Frederic
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
DYAKONOVA Nina
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
VIDELIER Hadley
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
BUT Dmitry
(UMR 5221 CNRS, Univ. Montpellier 2, Montpellier 34095, FRA)
,
LIME Francois
(Dep. of Electronic, Electrical and Automatic Control Engineering, Univ. Rovira i Virgili, Tarragona 43007, ESP)
,
MARCZEWSKI Jacek
(Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL)
,
KUCHARSKI Krzysztof
(Inst. of Electron Technol., Warsaw 02-668, POL)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 1 ページ： 014506-014506-5 発行年： 2012年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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