文献
J-GLOBAL ID:201202260406881430
整理番号:12A1006152
4H-SiC MOSFET上の周波数依存電荷ポンピング
Frequency-dependent Charge Pumping on 4H-SiC MOSFETs
著者 (5件):
YU Liangchun
(GE Global Res., NY, USA)
,
YU Liangchun
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
FRONHEISER Jody
(GE Global Res., NY, USA)
,
TILAK Vinayak
(GE Global Res., NY, USA)
,
CHEUNG Kin P.
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
717/720
号:
Pt.2
ページ:
793-796
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)