文献
J-GLOBAL ID:201202260423939728
整理番号:12A0345000
プラズマ事後酸化により作製した1nmEOT Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを有する高移動度Ge-pMOSFET
High-Mobility Ge pMOSFET With 1-nm EOT Al2O3/GeOx/Ge Gate Stack Fabricated by Plasma Post Oxidation
著者 (5件):
ZHANG Rui
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
IWASAKI Takashi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAOKA Noriyuki
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKENAKA Mitsuru
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TAKAGI Shinichi
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
59
号:
2
ページ:
335-341
発行年:
2012年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)