文献
J-GLOBAL ID:201202260684196048
整理番号:12A0549346
シリコンナノチェイン電界効果トランジスタにおける高オン/オフ比及びマルチモード輸送
High ON/OFF ratio and multimode transport in silicon nanochains field effect transistors
著者 (7件):
RAFIQ M. A.
(Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
,
MASUBUCHI K.
(Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
,
DURRANI Z. A. K.
(SORST JST, JPN)
,
COLLI A.
(Nokia Res. Centre C/O Nanoscience Centre, Cambridge CB30FF, GBR)
,
MIZUTA H.
(SORST JST, JPN)
,
MILNE W. I.
(SORST JST, JPN)
,
ODA S.
(Quantum Nanoelectronics Res. Centre, Tokyo Inst. of Technol., O-Okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
100
号:
11
ページ:
113108-113108-4
発行年:
2012年03月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)