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文献
J-GLOBAL ID:201202260741753552   整理番号:12A1216980

14nm技術ノードおよびそれを越える技術ノードを目指したキャラクタプロジェクションに基づく電子ビーム直接描画のためのマルチレベルパターン面積密度マップを用いた近接効果補正

Proximity effect correction using multilevel area density maps for character projection based electron beam direct writing toward 14nm node and beyond
著者 (5件):
OGINO Kozo
(Fujitsu Semiconductor Ltd., Tokyo, JPN)
HOSHINO Hiromi
(Fujitsu Semiconductor Ltd., Tokyo, JPN)
MARUYAMA Takashi
(e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN)
MACHIDA Yasuhide
(e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN)
SUGATANI Shinji
(e-Shuttle Inc., Kanagawa, JPN)

資料名:
Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)

巻: 8323  ページ: 832328.1-832328.11  発行年: 2012年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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