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文献
J-GLOBAL ID：201202261230212584
整理番号：12A1405427
GaAs上の高電場ストレス下の原子層堆積TiO2/Al2O3ナノ多層構造の多重フィラメント伝導パターンの劣化解析とキャラクタリゼーション
Degradation analysis and characterization of multifilamentary conduction patterns in high-field stressed atomic-layer-deposited TiO2/Al2O3 nanolaminates on GaAs
MIRANDA E.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP)
,
SUNE J.
(Departament d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, 08193 Bellaterra (Cerdanyola del Valles), ESP)
,
DAS T.
(Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
,
MAHATA C.
(Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
,
MAITI C. K.
(Dep. of Electronics and Electrical Communication Engineering, Indian Inst. of Technol., Kharagpur, IND)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 112 号： 6 ページ： 064113-064113-8 発行年： 2012年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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