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文献
J-GLOBAL ID:201202261235005170   整理番号:12A1260974

BC4の熱分解によるホウ素ドープされたグラフェンのエピタキシャル成長

Epitaxial growth of boron-doped graphene by thermal decomposition of B4C
著者 (7件):
NORIMATSU Wataru
(Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN)
NORIMATSU Wataru
(Japan Fine Ceramics Center, Aichi-ken, JPN)
HIRATA Koichiro
(Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN)
YAMAMOTO Yuta
(Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN)
ARAI Shigeo
(Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN)
KUSUNOKI Michiko
(Nagoya Univ., Aichi-ken, JPN)
KUSUNOKI Michiko
(Japan Fine Ceramics Center, Aichi-ken, JPN)

資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)

巻: 24  号: 31  ページ: 314207,1-5  発行年: 2012年08月08日 
JST資料番号: B0914B  ISSN: 0953-8984  CODEN: JCOMEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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