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文献
J-GLOBAL ID：201202261396022040
整理番号：12A0153182
6H-SiC JFETにおけるWannier-Stark局在効果
Wannier-Stark Localization Effeots in 6H-SiC JFETs
SANKIN V. I.
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SHKREBIY P. P.
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LEBEDEV A. A.
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 483/485 ページ： 873-876 発行年： 2005年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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