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文献
J-GLOBAL ID：201202261546303930
整理番号：12A0248608
スルーホールを有する電気めっき銅サブマウント上にSi(111)基板から転写した縦型InGaN多重量子井戸発光ダイオード構造
Vertical InGaN Multiple Quantum Wells Light-Emitting Diodes Structures Transferred from Si(111) Substrate onto Electroplating Copper Submount with Through-Holes
LUO Ruihong
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
RAO Wentao
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
CHEN Tufu
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
XIANG Peng
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
LIU Minggang
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
YANG Weimin
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
WANG Yunqian
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
YANG Yibin
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
WU Zhisheng
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
LIU Yang
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
JIANG Hao
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
,
ZHANG Baijun
(Sun Yat-sen Univ., Guangzhou, CHN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51 号： 1,Issue 1 ページ： 012101.1-012101.4 発行年： 2012年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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