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文献
J-GLOBAL ID：201202261737588934
整理番号：12A1166671
有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
Fabrication of a SiC/Ge-Nanodots Stacked Structure Using Organometallic Compounds
姉崎豊
(Nagaoka Univ. of Technol.)
,
大谷孝史
(Nagaoka Univ. of Technol.)
,
須藤晴紀
(Nagaoka Univ. of Technol.)
,
加藤孝弘
(Nagaoka Univ. of Technol.)
,
加藤有行
(Nagaoka Univ. of Technol.)
,
末光眞希
(Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ.)
,
成田克
(Yamagata Univ.)
,
中澤日出樹
(Hirosaki Univ.)
,
安井寛治
(Nagaoka Univ. of Technol.)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 33 号： 7 ページ： 376-381 (J-STAGE) 発行年： 2012年
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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