文献
J-GLOBAL ID:201202261944487412
整理番号:12A1030187
シリコンからトポロジカル絶縁体中へのスピン注入に向けて:SiとBi2Se3の間のSchottky障壁
Towards spin injection from silicon into topological insulators: Schottky barrier between Si and Bi2Se3
著者 (5件):
OJEDA-ARISTIZABAL C.
(Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
,
FUHRER M. S.
(Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
,
BUTCH N. P.
(Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
,
PAGLIONE J.
(Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
,
APPELBAUM I.
(Center for Nanophysics and Advanced Materials, Univ. of Maryland, Coll. Park, Maryland 20742-4111, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
101
号:
2
ページ:
023102-023102-4
発行年:
2012年07月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)