文献
J-GLOBAL ID:201202261990359330
整理番号:12A0832820
薄膜太陽光発電に対する半導体欠陥レベルとその分岐のドーピングおよびトラッピングの二元的役割
Dual roles of doping and trapping of semiconductor defect levels and their ramification to thin film photovoltaics
著者 (1件):
CHIN Ken K.
(Dep. of Physics and Apollo CdTe Solar Energy Res. Center, New Jersey Inst. of Technol., Newark, New Jersey 07102, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
111
号:
10
ページ:
104509-104509-9
発行年:
2012年05月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)