文献
J-GLOBAL ID:201202262043598998
整理番号:12A1333031
サブ2μmピンフォトダイオードを用いたCMOSイメージセンサへの放射線効果
Radiation Effects on CMOS Image Sensors With Sub-2μm Pinned Photodiodes
著者 (7件):
PLACE S.
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
,
PLACE S.
(Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
,
CARRERE J.-P.
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
,
ALLEGRET S.
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
,
MAGNAN P.
(Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
,
GOIFFON V.
(Univ. Toulouse, Toulouse, FRA)
,
ROY F.
(ST Microelectronics, Crolles, FRA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
59
号:
4,Pt.1
ページ:
909-917
発行年:
2012年08月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)