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文献
J-GLOBAL ID：201202262177375286
整理番号：12A1316480
半導体レーザの電流-出力特性に及ぼす利得飽和の効果
Effect of gain saturation on the current-power characteristic of semiconductor laser
SOKOLOVSKII G. S.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
DUDELEV V. V.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
DERYAGIN A. G.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
,
KUCHINSKII V. I.
(Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名：
Technical Physics Letters
(Technical Physics Letters)
巻： 38 号： 7 ページ： 613-615 発行年： 2012年07月
JST資料番号： H0665A ISSN： 1063-7850 CODEN： TPLEED 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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